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太阳娯乐城登录网址三星代工厂从去年开始生产

来源:http://www.chenghua543.com 作者:太阳娯乐城登录网址 时间:2019-10-05 07:50

原标题:三星明年将成全球首个提供3D SiP的代工厂,3nm 2020年试产

智东西(公众号:zhidxcom)

雷锋网消息,三星最近在日本举办了三星铸造论坛2018(Samsung Foundry Forum 2018,SFF),发布了几个重要的信息。 除了重申计划在未来几个季度开始使用极紫外光刻(EUVL)开始大批量生产(HVM),同时重申计划使用具有3纳米节点的栅极FET(GAAFET),三星还将新的8LPU工艺技术增加到其路线图。另外,2019年开始提供3D SiP以及2020年开始风险生产3nm节点也都是亮点。

编| 赵佳蕊

10纳米节点

导语:三星将于2019年下半年开始大规模生产6LPP,5LPE将在今年内完成流片、明年上半年量产,4LPE也会在年内设计完毕,2021年大规模生产。

三星代工厂的总体路线图于今年早些时候公布 ,因此在日本的SFF,三星重申其部分计划,也进行了一些修正,并提供了有关其未来计划的一些额外细节。

智东西8月2日消息,据外媒AnandTech最新报道,三星代工厂从去年开始生产7LPP(7nm low power plus)制造工艺的芯片,在这之后三星仍加速推动其制造工艺的发展,并于近日宣布将于2019年下半年开始大规模生产6LPP制造工艺的芯片。

首先,三星基于10纳米工艺增加了被称为8LPU(low power ultimate)的新工艺,根据三星的分类,这是一个为需要高时钟频率和高晶体管密度SoC准备的工艺。8LPU是8LPP技术平台的进一步升级,可能会增加晶体管密度和提升频率。三星的8LPP技术去年投入生产 ,基于三星10纳米节点的开发,与10LPP相比,更窄的最小金属间距可减小10%的面积(同样的复杂性),并且功耗降低10%(同样的频率和复杂性)。 不过,三星没有透露它如何在8LPP的基础上提升8LPU,比如设计规则、新的库以及最小金属间距。

此外三星还表示,5LPE(5nm Low Power Early)将在今年内完成流片、明年上半年量产。4LPE也会在年内设计完毕,2021年大规模生产。

三星8LPP和8LPU技术面向需要比10LPC和10LPU工艺所能提供的更高性能或更低功率或更高晶体管密度的客户,但无法获得三星7LPP或更先进的制造技术EUVL。 8LPU的风险生产将于2018年开始,预计明年将在韩国Giheung的Fab S1工厂开始大批量生产。

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7LPP EUV正在进行中

一、三星FinFET工艺芯片市场需求强劲

去年三星承诺在2018年开始使用7LPP生产芯片,看来,三星已经开始制造7LPP SoC,但可能仅限于其母公司,因为其MPW(Multi-Project Wafer)服务时间表未提及7LPP。 7LPP生产技术将是三星代工厂的旗舰工艺,因此很可能首先用于三星的移动SoC。 同时,该工艺也适用于针对HPC,ML和AI芯片。 例如,三星正在为定制芯片准备专用IP,包括100 Gbps + SerDes等。

据三星称,市场对于10LPP/8LPP技术制造的移动SoCs,14LPx/10LPP工艺制造的移动、高性能计算、汽车和网络产品有着强劲的需求。也就是说,三星使用其FinFET工艺制造的产品受到了市场的好评。接下来几年的时间里,三星代工厂将继续使用14nm、10nm和7nm的技术,通过优化或者插入先进的模块来完善特定的应用。

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据外媒AnandTech报道,一般的半导体制造商,通常会在18至24个月就大幅提升节点,但三星与其他半导体制造商不一样的是,三星对每个节点的技术都会不断更新和优化,以满足不同客户的需求。三星的这个做法允许它更好的控制其制造成本和制造风险。

在论坛上,三星表示已经在韩国华城的Fab S3安装了多个ASML Twinscan NXE:3400B EUVL步进和扫描系统。当然并未透露具体的数量,但它明确扫描仪的每日晶圆(WPD)性能符合其批量生产目标。 事实上,由于EUV将首次用于HVM,三星代工厂不倾向于将其扩展到特定客户的设计之外(三星和高通已经为骁龙 5G SoC选择了7LPP,将在2019年生产)。

二、5LPE工艺年内完成流片,4LPE工艺年内设计完毕

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三星表示,如果不出意外的话,EUV技术将成为三星下一代制造工艺的关键推动技术,第一个使用EUV技术的是7LPP制造工艺,之后还会更多的制造工艺使用EUV技术。

在三华工厂建立另一条生产线之后,三星将对EUV光刻技术的进行扩展,该生产线预计将耗资 6万亿韩元(约46.15亿美元),预计将于2019年完工,并于2020年启动HVM。因此,三星使用EUVL设备的生产将会限制在一个工厂至少几个季度,这或许也是三星代工厂开发8LPP和8LPU工艺的原因。

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5/4nm 2019年的风险试产

三星还表示,三星6LPP制造工艺是7LPP的改良版,6LPP制造工艺相比于7LPP制造工艺能提供更高的晶体管密度,并且功耗更低。

当华城的新生产线投入运营时,三星承诺将开始风险试产5/4 nm节点。三星正在准备5LPE,4LPE和4LPP技术,当然也可能增加。 根据三星迄今为止所披露的情况,它们将具有一定的相似性,这将简化从5LPE到4LPP的迁移。

三星规划将在今年下半年推出5LPE的首批芯片,它在功耗、性能和面积等方面都将优于6LPP制造工艺,并预计在2020年上半年就大规模生产。三星代工厂还预计,5LPE技术将在2020年成为主要的EUV工艺节点,将在高性能计算、移动芯片等多方面应用有众多优势。

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三星还规划了7LPP工艺的终极迭代版本4LPE工艺,它将在今年下半年完成开发,预计在2020年制造首批芯片,大规模生产应该会在2021年。

三星在SFF 2018日本展示的一张幻灯片表明,三星预计使用5/4 nm节点的芯片将于2019年开始风险生产,这表明这些工艺技术将共存而不是相互跟随。 由于三星几乎没有理由设计竞争性制造工艺,因此它的5LPE更有可能在2020年首先用于HVM,然后4LPE / 4LPP将使用随后新增的EUV设备,除非三星的路线图发生重大变化。

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